SSD-накопитель Samsung 990 EVO 1 ТБ NVMe M.2 PCIe 4.0 x4 (MZ-V9S1T0BW)

Samsung MZ-V9S1T0BW — компактный внутренний SSD M.2 накопитель объёмом 1000 ГБ, разработанный для ноутбуков, ультрабуков и мини‑ПК. Модель использует спецификацию NVMe 2.0 и физический интерфейс PCIe 4.0 x4, что даёт высокую пропускную способность на современных платформах.

По производительности диск обеспечивает скорость чтения SSD до 7150 Мб/с и запись до 6300 Мб/с, 4K случайное чтение — 850000 IOPS, 4K запись — 1350000 IOPS. Ресурс перезаписи составляет 600 ТБ (TBW), а расчетное время наработки на отказ — 1 500 000 часов. Наличие HMB (Host Memory Buffer) помогает уменьшить задержки при работе с небольшими блоками данных.

Форм‑фактор M.2 2280 делает установку простой в современных ноутбуках и компактных системах: модуль занимает минимум места и не добавляет шума или вибраций, свойственных механическим накопителям. Устойчивость к ударам и вибрациям повышает надёжность при работе в мобильных условиях. Быстрый отклик после выхода из спящего режима сокращает время ожидания и положительно влияет на общую отзывчивость системы, что важно для переносных устройств и игровых конфигураций.

Энергопотребление у M.2‑решений традиционно ниже, чем у 2.5" механики, что может сказываться на автономности ноутбука при повседневной работе; одновременно высокая производительность делает этот накопитель подходящим для требовательных игр и ресурсоёмких приложений на пользовательском уровне. Срок эксплуатации по документам — 24 месяца; изготовлен во Вьетнаме.

Характеристики:

- Бренд: Samsung, модель MZ-V9S1T0BW

- Тип: внутренний M.2 2280, накопитель NVMe, NVMe 2.0, интерфейс PCIe 4.0 x4

- Объём: 1000 ГБ

- Скорость чтения: 7150 Мб/с

- Скорость записи: 6300 Мб/с

- 4K чтение: 850000 IOPS; 4K запись: 1350000 IOPS

- Ресурс записи (TBW): 600 ТБ

- MTBF: 1 500 000 ч

- HMB: да

- Срок эксплуатации: 24 мес.

- Страна производства: Вьетнам

- Part number: MZ-V9S1T0BW